[发明专利]一种平面型IGBT结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种平面型IGBT结构的制备方法，属于半导体技术领域。该方法为：在N‑型衬底上开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法淀积氧化层，在N‑型衬底和窗口区域的上表面均生长栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，将窗口区域以外的多晶硅层形成栅极，通过离子注入法，在N‑型衬底的上表面依次形成P‑基区和N‑注入区，在多晶硅层的表面依次淀积层间氧化层和金属层，形成发射极，在N‑型衬底的背面，通过离子注入法依次形成N型缓冲层和p‑集电极区，在N‑型衬底的背面，淀积背面金属层。本发明在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，改善了传统工艺中造成材料断裂的问题。

主权项

1.一种平面型IGBT结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在N‑型衬底上开出一窗口区域；在所述窗口区域通过硅的选择氧化方法淀积氧化层，在所述N‑型衬底和所述窗口区域的上表面均生长栅氧层；在所述栅氧层上淀积多晶硅层，将所述窗口区域以外的所述多晶硅层形成栅极；通过离子注入法，在所述N‑型衬底的上表面依次形成P‑基区和N‑注入区，在所述多晶硅层的表面依次淀积层间氧化层和金属层，形成发射极；在所述N‑型衬底的背面，通过离子注入法依次形成N型缓冲层和p‑集电极区，在所述N‑型衬底的背面，淀积背面金属层，与所述p‑集电极区形成欧姆接触；其中，在所述窗口区域通过硅的选择氧化方法淀积氧化层的条件包括：温度保持在1150℃下，使用H2和O2气流，经过500分钟氧化。