[发明专利]第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板无效
| 申请号： | 201310085505.8 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103320864A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 林昌弘;皿山正二;佐藤隆;木村千春;三好直哉;村上明繁;和田纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 13 氮化物 晶体 | ||
【主权项】：
第13族氮化物晶体，其具有六方晶结构，且含有氮原子以及选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子，所述第13族氮化物晶体包含：多个方向的基面位错，其中所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
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