[发明专利]氧化物超导体、取向氧化物薄膜、以及用于制造氧化物超导体的方法有效
| 申请号： | 201310082972.5 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103325936A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 荒木猛司;林真理子;山田紘;福家浩之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L39/14 | 分类号： | H01L39/14;H01L39/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东;谭邦会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方案，氧化物超导体包括取向超导体层和氧化物层。取向超导体层含有2.0×1016～5.0×1019个原子/cc的氟和1.0×1018～5.0×1020个原子/cc的碳。超导体层含有90%或更多的部分以10度或更低的面内取向度(Δφ)沿c-轴取向，并且含有LnBa2Cu3O7-x超导体材料(Ln为钇(Y)，或除铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、和镥(Lu)以外的镧系元素)。氧化物层配置与超导体层的下表面接触，并且相对于超导体层的一个晶轴以10度或更低的面内取向度(Δφ)取向。与氧化物层接触的超导体层的下表面部分的面积为直接位于超导体层下面的区域面积的0.3或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 超导体 取向 薄膜 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
氧化物超导体，其包括：取向超导体层，所述取向超导体层含有2.0×1016～5.0×1019个原子/cc的氟和1.0×1018～5.0×1020个原子/cc的碳，含有90%或更多的部分以10度或更低的面内取向度(Δφ)沿c轴取向，且含有LnBa2Cu3O7‑x超导体材料(Ln为钇(Y)或除铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、和镥(Lu)以外的镧系元素)；及氧化物层，所述氧化物层配置与取向超导体层下表面接触，并且相对于所述取向超导体层的一个晶轴以10度或更低的面内取向度(Δφ)取向，所述取向超导体层与氧化物层接触的下表面部分的面积为直接位于所述取向超导体层下面的区域面积的0.3或更低。
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