[发明专利]一组应用于双大马士革金属互连工艺的光掩模有效
| 申请号： | 201310081912.1 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103199057A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;于世瑞;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一组光掩模，应用于双大马士革金属互连工艺，通过设置沟槽光掩模和通孔光掩模；沟槽光掩模包括多组密集沟槽模块、半密集沟槽模块和孤立沟槽模块，通孔光掩模包括多组密集通孔图形模块、半密集通孔模块和孤立通孔模块，并且沟槽光掩模各模块和通孔光掩模各模块之间通过套准标记可以形成多种套准组合的光掩模，能有效地提高双大马士革金属互连工艺制备的精确性和有效性，进而提高器件的良率；同时，还能在有效地减少研发时间和研发成本的基础上，为双大马士革金属互连工艺生产提供一种监控工具。 | ||
| 搜索关键词： | 一组 应用于 大马士革 金属 互连 工艺 光掩模 | ||
【主权项】：
一组光掩模，应用于双大马士革金属互连工艺，其特征在于，所述一组光掩模包括沟槽光掩模和通孔光掩模；其中，所述沟槽光掩模包括多组密集沟槽模块、半密集沟槽模块和孤立沟槽模块；所述通孔光掩模包括多组密集通孔模块、半密集通孔模块和孤立通孔模块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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