[发明专利]金属栅阻挡层针孔的检测方法有效
| 申请号： | 201310077026.1 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051291A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张子莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属栅阻挡层针孔的检测方法，至少包括以下步骤：首先提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成氧化层、金属栅功函数层及金属栅阻挡层，以形成测试结构；然后用SC1溶液接触所述测试结构中的金属栅阻挡层；再用氢氟酸溶液接触所述测试结构中的金属栅阻挡层；最后在电镜下观测经上述两步获得的测试结构中的氧化层中是否有腐蚀出的大孔洞以确定所述金属栅阻挡层中是否有针孔。本发明的金属栅阻挡层针孔的检测方法可用于确定金属栅功函数层上金属栅阻挡层制作的最佳工艺条件，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 阻挡 针孔 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1）提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成氧化层、金属栅功函数层及金属栅阻挡层，以形成测试结构；2）用SC1溶液接触所述测试结构中的金属栅阻挡层；3）然后再用氢氟酸溶液接触所述测试结构中的金属栅阻挡层；4）在电镜下观测经上述两步获得的测试结构中的氧化层中是否有腐蚀出的大孔洞以确定所述金属栅阻挡层中是否有针孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310077026.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶片到晶片的熔接结合卡盘
- 下一篇：一种半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
