[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，其中，第二金属层靠近第二半导体衬底，通过在缓冲层上开口，便可露出所述第二金属层，由此与现有技术的背照式CMOS影像传感器的制造方法相比，减少了露出所述第二金属层所需刻蚀的介质层厚度，也即减少了露出所述第二金属层所需的工艺时间，从而提高了机台产能，进而降低了制造成本。

主权项

一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供逻辑晶圆及像素晶圆，其中，所述逻辑晶圆包括第一半导体衬底，形成于所述第一半导体衬底表面的第一介质层，形成于所述第一介质层中的第一金属层及形成于所述第一介质层表面的第一键合层，并且所述第一金属层靠近所述第一键合层；所述像素晶圆包括第二半导体衬底，形成于所述第二半导体衬底表面的第二介质层，形成于所述第二介质层中的第二金属层及形成于所述第二介质层表面的第二键合层，并且所述第二金属层靠近所述第二半导体衬底；所述逻辑晶圆及像素晶圆通过所述第一键合层及第二键合层键合在一起；刻蚀部分所述第二半导体衬底，形成第一开口，所述第一开口露出部分所述第二介质层；并在所述第二半导体衬底表面及所述第二介质层表面形成缓冲层；刻蚀部分所述缓冲层、部分所述第二介质层、部分所述第二键合层及部分所述第一键合层，形成第二开口，所述第二开口露出部分所述第一金属层；刻蚀部分所述缓冲层，形成第三开口，所述第三开口露出部分所述第二金属层；形成连接层，所述连接层连接所述第一金属层及所述第二金属层。