[发明专利]固态成像装置及其制造方法有效
申请号: | 201310074110.8 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN103227182B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 高桥洋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/353;H04N5/359;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种缩小了形成固态成像装置的芯片面积并降低了单个芯片的成本的固态成像装置及其制造方法。所述电子设备通过使用该固态成像装置而实现小型化。本发明的固态成像装置通过将形成光电转换部PD的第一衬底(80)与形成电荷蓄积电容部(61)以及多个MOS晶体管的第二衬底81贴合而构成。另外,在第一衬底(80)和第二衬底(81)分别形成连接电极(26、27、56、57),第一衬底(80)和第二衬底(81)通过连接电极电连接。由此,能够在更小的面积上形成具有全域快门功能的固态成像装置。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置的制造方法,包括以下步骤:在第一衬底上形成光电转换部和被形成为从该第一衬底表面露出的第一连接电极和第二连接电极,所述光电转换部用于生成并蓄积对应于入射光的信号电荷,在所述第一衬底或者第二衬底上形成用于蓄积从所述光电转换部传输的信号电荷的电荷蓄积电容部;在所述第二衬底上形成多个MOS晶体管和被形成为从该第二衬底表面露出的第一连接电极和第二连接电极,所述MOS晶体管用于顺序传输所述电荷蓄积电容部所蓄积的信号电荷;以及在所述第二衬底上部的光入射侧贴合所述第一衬底,使得在所述第二衬底表面上露出的第一连接电极和在所述第一衬底表面上露出的第一连接电极电连接,并且使得在所述第二衬底表面上露出的第二连接电极和在所述第一衬底表面上露出的第二连接电极电连接,其中,通过形成介电体层和夹持所述介电体层形成的两个配线层,来形成所述电荷蓄积电容部;在其中一个配线层中构成电荷保持用电极并且在所述电荷保持用电极上部形成所述介电体层,通过所述电荷保持用电极和经由所述介电体层形成在所述电荷保持用电极上部的在所述第一衬底或者所述第二衬底表面上露出的第一连接电极形成所述电荷蓄积电容部,形成所述介电体层的材料包括TaO、HfO或AlO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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