[发明专利]在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件

摘要

本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件，且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体（SOI）晶片上且/或利用SOI CMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻的区上沉积金属来制造反射表面。可将集成于所述CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗用作蚀刻终止层。

主权项

一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：利用块体互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺在单一绝缘体上半导体（SOI）CMOS晶片上制造电子和光子装置，其中所述SOI CMOS晶片中的硅层厚度实现块体CMOS晶体管和光学装置。