[发明专利]绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路，其驱动芯片副边正负电源供电，正负电平输出。前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路共用驱动芯片副边的正负电源。驱动芯片的输出连接前级推挽电路的输入，前级推挽电路的输出与电平转换电路相连，电平转换电路的输出与后级推挽电路相连，后级推挽电路的输出与IGBT门极驱动电阻相连。本发明，前级推挽电路和电平转换电路结合在一起，为后级推挽电路的MOS管提供了互锁的驱动信号，且加入了硬件死区，避免MOS管推挽结构内部的直通，且MOS管的GS电压控制在±20V之内，保证了MOS管的可靠工作。后级推挽电路采用MOS管，能够配合有效的IGBT门极钳位，限制IGBT短路电流，提高IGBT工作可靠性。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路，包括驱动芯片和IGBT门极驱动电路，驱动芯片副边正负电源供电，正负电平输出；其特征是：还包括前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路；所述前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路共用驱动芯片副边的正负电源，驱动芯片的输出连接前级推挽电路的输入，前级推挽电路的输出与电平转换电路相连，电平转换电路的输出与后级推挽电路相连，后级推挽电路的输出与IGBT门极驱动电阻相连。