[发明专利]具有在平面内方向上延伸的一体化通孔的多层电子结构有效
申请号: | 201310065165.2 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103337493A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 卓尔·赫尔维茨 | 申请(专利权)人: | 珠海越亚封装基板技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李翔;李弘 |
地址: | 广东省珠海市富山工业区虎山村*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种多层电子支撑结构,其包括在X-Y平面内延伸的被通孔层分隔开的至少一对相邻的特征层;所述通孔层包括夹在两个相邻特征层之间的介电材料以及至少一个非圆柱形通孔柱,所述至少一个非圆柱形通孔柱穿过所述介电材料在垂直于X-Y平面的Z方向上连接所述成对的相邻特征层;其中所述至少一个非圆柱形通孔柱的特征在于在X-Y平面内的长尺寸为在X-Y平面内的短尺寸的至少3倍长度。 | ||
搜索关键词: | 具有 平面 向上 延伸 一体化 多层 电子 结构 | ||
【主权项】:
一种多层电子支撑结构,其包括在X‑Y平面内延伸的被通孔层分隔开的至少一对相邻的特征层;所述通孔层包括夹在两个相邻特征层之间的介电材料以及穿过所述介电材料的至少一个非圆柱形通孔柱,所述至少一个非圆柱形通孔柱在垂直于X‑Y平面的Z方向上连接所述成对的相邻特征层;其中所述至少一个非圆柱形通孔柱的特征在于在X‑Y平面内的长尺寸为在X‑Y平面内的短尺寸的至少3倍长度。
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