[发明专利]静态存储单元及其形成方法

摘要

一种静态存储单元及其形成方法，静态存储单元包括半导体衬底，包括用于形成下拉晶体管的第一区域和用于形成上拉晶体管的第二区域；位于第一区域的半导体衬底表面的第一鳍部，位于第二区域的半导体表面的第二鳍部，其中，第二鳍部顶部形成有绝缘层；覆盖第一鳍部和第二鳍部之外的半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层表面低于第一鳍部和第二鳍部顶部表面；位于所述层间介质层表面、且横跨单个第一鳍部的顶部和侧壁的第一栅极结构，位于所述层间介质层表面、且横跨单个第二鳍部的顶部和侧壁的第二栅极结构，第二栅极结构与第二鳍部的顶部通过绝缘层相隔离。静态存储单元的性能稳定，最终形成的SRAM存储器的性能优越。

主权项

一种静态存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成下拉晶体管的第一区域和用于形成上拉晶体管的第二区域；形成位于所述第一区域的半导体衬底表面的第一鳍部，形成位于所述第二区域的半导体表面的第二鳍部，其中，所述第二鳍部顶部形成有绝缘层；形成覆盖所述第一鳍部和第二鳍部之外的半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层表面低于所述第一鳍部和第二鳍部顶部表面；形成位于所述层间介质层表面、且横跨单个所述第一鳍部的顶部和侧壁的第一栅极结构，形成位于所述层间介质层表面、且横跨单个所述第二鳍部的顶部和侧壁的第二栅极结构，所述第二栅极结构与第二鳍部的顶部通过绝缘层相隔离；所述第一鳍部和第二鳍部之间的高度比为0.8:1‑2:1；当所述第一鳍部和第二鳍部之间的高度比大于等于0.8:1，小于1:1时，所述第一鳍部的宽度大于所述第二鳍部高度的0.4倍；所述层间介质层和绝缘层之间的刻蚀选择比大于1：1；所述第一鳍部和第二鳍部的形成步骤还包括：首先形成覆盖所述第二区域的保护层，所述保护层不仅覆盖第二区域的层间介质层，还覆盖第二区域的绝缘层；以所述保护层为掩膜，去除第一区域的绝缘层和部分厚度的层间介质层，直至暴露出第一区域的鳍结构；去除所述保护层，暴露出第二区域的层间介质层和绝缘层；以所述第二区域的绝缘层为掩膜，刻蚀部分厚度的层间介质层以及第一区域中部分厚度的鳍结构，形成第一鳍部，所述第二区域的鳍结构为第二鳍部。