[发明专利]一种通过乙醇饱和蒸气增强ZnO氧气敏性能的方法无效
| 申请号： | 201310064056.9 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103149251A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 袁志好;赵淑枝;齐高璨 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种通过乙醇饱和蒸气增强ZnO氧气敏性能的方法，用ZnO纳米棒阵列膜作为气敏材料制备气敏元件，将ZnO纳米棒阵列膜气敏元件处于10-30℃温度下的乙醇饱和蒸气中，利用乙醇饱和蒸气的辅助氧化反应来增强气敏元件对常规浓度氧气的气敏性能，气敏元件的工作温度为150-400℃，气敏元件对体积百分比浓度为10-35%的氧气灵敏，响应时间小于110秒，在该氧气浓度范围内气敏元件为线性响应。本发明的优点是：该方法操作简单容易实现，克服了还原性气体对氧化锌气敏元件的氧气响应的干扰，而且氧气响应速度快，稳定性好，且其灵敏度和氧气浓度有很好的线性关系，在空气中氧气浓度检测方面有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 乙醇 饱和 蒸气 增强 zno 氧气 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种通过乙醇饱和蒸气增强ZnO氧气敏性能的方法，其特征在于：用ZnO纳米棒阵列膜作为气敏材料制备气敏元件，将ZnO纳米棒阵列膜气敏元件处于10‑30℃温度下的乙醇饱和蒸气中，利用乙醇饱和蒸气的辅助氧化反应来增强气敏元件对常规浓度氧气的气敏性能，气敏元件的工作温度为150‑400℃，气敏元件对体积百分比浓度为10‑35%的氧气灵敏，响应时间小于110秒，在该氧气浓度范围内气敏元件为线性响应。
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