[发明专利]静态存储单元及其形成方法

摘要

一种静态存储单元及其形成方法，所述静态存储单元的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域内形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部具有硬掩膜层；在所述第二区域内形成第二鳍部，所述第二鳍部与第一鳍部的顶部齐平；在所述半导体衬底表面形成第一介质层；在所述第一鳍部上形成上拉晶体管，所述上拉晶体管包括第一栅极结构，所述第一栅极结构位于第一介质层表面，与硬掩膜层的表面齐平，暴露出硬掩膜层的顶面；在所述第二鳍部上形成下拉晶体管，所述下拉晶体管包括横跨第二鳍部的第二栅极结构，所述第二栅极结构覆盖第二鳍部的侧壁和顶部表面，所述第二栅极结构的顶部与所述硬掩膜层齐平。

主权项

一种静态存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域内形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部具有硬掩膜层；在所述第二区域内形成第二鳍部，所述第二鳍部与第一鳍部的顶部齐平；在所述半导体衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部；在所述第一鳍部上形成上拉晶体管，所述上拉晶体管包括覆盖第一鳍部和硬掩膜层的侧壁的第一栅极结构，和位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内的第一源极和第一漏极，所述第一栅极结构位于第一介质层表面，与硬掩膜层的表面齐平，暴露出硬掩膜层的顶面；在所述第二鳍部上形成下拉晶体管，所述下拉晶体管包括横跨第二鳍部的第二栅极结构和位于所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内的第二源极和第二漏极，所述第二栅极结构位于第一介质层表面，覆盖第二鳍部的侧壁和顶部表面，所述第二栅极结构的顶部与所述硬掩膜层齐平。