[发明专利]一种频率可调的太赫兹波超材料调制器有效
| 申请号： | 201310062527.2 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103178351A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陈长虹;孟德佳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种频率可调的太赫兹波超材料调制器，包括周期排列的单元器件，每一个单元器件包括衬底、位于衬底上的功能材料层以及位于功能材料层上的金属谐振单元；当功能材料层从绝缘相变成金属相，功能材料层的电导率呈指数倍增加使得金属谐振单元的中间开口电容的面积增加，金属谐振单元的谐振频率随着电容的增大而变小实现了对单元器件的频率调谐。本发明采用在太赫兹波段低传输损耗衬底上制作周期排列的金属开口谐振单元、利用金属绝缘相变材料相变前后的电导率变化改变谐振单元开口电容的面积，实现了谐振频率可以调谐的太赫兹波超材料调制器，达到了在太赫兹波段对某一频率处的电磁传输特性进行主动性控制，获得大的开关比或高调制深度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 频率 可调 赫兹 材料 调制器 | ||
【主权项】：
一种频率可调的太赫兹波超材料调制器，包括周期排列的单元器件，其特征在于，每一个单元器件包括衬底、位于衬底上的功能材料层以及位于所述功能材料层上的金属谐振单元；当所述功能材料层从绝缘相变成金属相，所述功能材料层的电导率呈指数倍增加使得金属谐振单元的中间开口电容的面积增加，金属谐振单元的谐振频率随着电容的增大而变小实现了对单元器件的频率调谐。
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