[发明专利]一种根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法有效
申请号: | 201310054774.8 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN103151287A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 郭贤权;许向辉;顾珍 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G06F17/30 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法。建立缺陷晶圆的凹口方向数据库;分析、比对凹口方向数据库中的数据,获取缺陷晶圆两两之间凹口方向夹角的数据;记录每个缺陷晶圆的编号;分析并记录每一片缺陷晶圆的缺陷位置,建立缺陷数据库;根据编号数据库中的数据,获取并比对每个缺陷晶圆在所述凹口方向夹角数据库中的数据和缺陷数据库中的数据;根据上述的制程的数据,逐一判断每个制程中,上述凹口方向夹角数据与获取的所述缺陷数据之间是否匹配;若匹配,则该制程确定为问题制程段的开始制程,反之,则确定该制程为问题制程段的结束。本发明无需像传统的方法一样对每一步都进行扫描,因此节省了大量人力和扫描机台资源。 | ||
搜索关键词: | 一种 根据 缺陷 聚集 位置 判定 问题 范围 方法 | ||
【主权项】:
一种根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法,应用于缺陷集中分布的多个缺陷晶圆上,其特征在于, 建立所述缺陷晶圆的凹口方向数据库,所述凹口方向数据库包括每个所述缺陷晶圆的凹口方向的数据及该缺陷晶圆进行过的制程的数据; 分析、比对所述凹口方向数据库中的数据,获取所述缺陷晶圆两两之间凹口方向夹角的数据; 记录每个所述缺陷晶圆的编号,建立编号数据库; 分析并记录每一片缺陷晶圆的缺陷位置,建立缺陷数据库; 根据所述编号数据库中的数据,获取并比对每个所述缺陷晶圆在所述凹口方向夹角数据库中的数据和缺陷数据库中的数据; 根据上述的制程的数据,逐一判断每个制程中,上述凹口方向夹角数据与获取的所述缺陷数据之间是否匹配; 若匹配,则该制程确定为问题制程段的开始制程; 若不匹配,则该制程确定为问题制程段的结束制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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