[发明专利]用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法有效
申请号: | 201310049424.2 | 申请日: | 2009-04-28 |
公开(公告)号: | CN103107289A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 上野滋弘;桥本庆介;冈田政人;武诚司;田口洋介;加纳正隆;藤本慎也 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法。提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于,具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层,所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子,所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂,或者包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 空穴 注入 传输 过渡 金属 纳米 粒子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子,其特征在于,其是包含至少包括过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂的纳米粒子,或者是包含至少包括过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂的纳米粒子,所述含过渡金属的纳米粒子通过在粒子表面附着保护该表面的保护剂而形成,该保护剂是1分子中在有机基团的末端具有1个连结基的结构,所述连结基起到与选自所述过渡金属和过渡金属化合物中的至少一种连结的作用,所述有机基团是从下述结构中选择的一种以上:碳数为4~30的直链或支化的饱和或不饱和烷基,以及苯、三苯胺、芴、联苯基、芘、蒽、咔唑、苯基吡啶、三噻吩、苯基噁二唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯基三嗪、苯并噻嗪、苯基喹喔啉、亚苯基亚乙烯基、苯基硅杂环戊二烯及这些结构的组合,这些基团不具有取代基或者具有碳数为1~20的直链或支化的烷基、卤原子、碳数为1~20的烷氧基、氰基、硝基作为取代基,并且所述连结基为选自羟基、磺酸基、磺酰胺基、下述(1a)~(1l)所示的官能团中的1种以上,
式中,Z1、Z2及Z3分别独立地表示卤素原子或烷氧基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社,未经大日本印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310049424.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择