[发明专利]一种制备太阳能级多晶硅的方法

摘要

本发明涉及制备太阳能级多晶硅的方法，包括：在矿热炉出硅过程中，向抬包底部持续通入氧化性气体；出硅完成后，将预熔造渣剂倒入抬包中精炼；将氧化性气体采用等离子发生器电离后注入硅液中；待反应完后，将得到的硅液注入保温装置中凝固，待硅锭冷却后，打磨硅锭四周及底面洁净；将硅锭破碎、磨粉，采用混合酸进行酸洗，清洗，烘干；将酸洗后硅粉放入中频炉石墨坩埚中加热熔化成硅液，保温；于硅液的表面放置石墨板，石墨板与直流电压的负极相接，石墨坩埚底部与直流电压的正极相接，施加直流电压；通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚缓慢下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层和尾部的杂质区，即得提纯后6N多晶硅。

主权项

一种制备太阳能级多晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在矿热炉出硅过程中，向抬包底部持续通入氧化性气体；（2）出硅完成后，将预熔造渣剂倒入抬包中精炼；所述造渣剂为碱金属碳酸盐、碱金属氯化物和二氧化硅的混合物；（3）同时启动离子发生器将所述氧化性气体部份电离后注入硅液中；（4）待反应完后，将上述得到的硅液注入保温装置中凝固，待硅锭冷却后，打磨硅锭四周及底面洁净；（5）将硅锭破碎、磨粉，得到硅粉，采用混合酸进行酸洗，清洗，烘干；（6）将酸洗后硅粉放入中频炉石墨坩埚中加热熔化，并熔化成硅液，保持硅液温度；（7）于硅液的表面上放置石墨板，石墨板与直流电压的负极相接，石墨坩埚底部与直流电压的正极相接，施加直流电压；（8）通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚缓慢下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层和尾部富集的杂质区，得到提纯后6N多晶硅。