[发明专利]一种抗低温氧化的二硅化钼基合金及其制备工艺无效
| 申请号： | 201310040771.9 | 申请日： | 2013-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN103060654A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 冯培忠;苏健;王晓虹;孙智;牛继南;强颖怀 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学 |
| 主分类号： | C22C29/18 | 分类号： | C22C29/18;C23C8/12 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 221116*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种抗低温氧化的二硅化钼基合金及其制备工艺，属于抗氧化结构材料技术领域。抗低温氧化的二硅化钼基合金化学表达式为(Mo1-xNx)Si2，其中X处于0～0.5的范围之内，N为Nb、W、Ti、Cr中的一种元素，合金表面具有一层保护膜。将二硅化钼基合金表面磨光，然后把二硅化钼基合金放在空气等氧化性气氛中于1000～1500℃高温烧结10～120分钟，使表面自生形成一层致密的保护膜。优点在于，通过高温使合金表面自动生成一层薄的、致密的、粘结良好的保护膜，该保护膜成为低温氧化时氧的阻挡层，从而使得该二硅化钼基合金具有良好的抗低温氧化性能。本发明针对性强、工艺简单、无需特殊设备、成本低、可以有效抑制二硅化钼基合金的低温粉化现象，具有广泛的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 氧化 二硅化钼基 合金 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种抗低温氧化的二硅化钼基合金，其特征在于：二硅化钼基合金化学表达式为(Mo1‑xNx)Si2，其中X处于0～0.5的范围之内；所述的(Mo1‑xNx)Si2中N为Nb、W、Ti、Cr中的一种元素；所述的(Mo1‑xNx)Si2合金表面有一层抗低温氧化性能的保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国矿业大学，未经中国矿业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310040771.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
