[发明专利]一种抗低温氧化的二硅化钼基合金及其制备工艺无效
| 申请号： | 201310040771.9 | 申请日： | 2013-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN103060654A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 冯培忠;苏健;王晓虹;孙智;牛继南;强颖怀 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学 |
| 主分类号： | C22C29/18 | 分类号： | C22C29/18;C23C8/12 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 221116*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 氧化 二硅化钼基 合金 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗低温氧化的二硅化钼基合金，其特征在于：二硅化钼基合金化学表达式为(Mo1-xNx)Si2，其中X处于0～0.5的范围之内；
所述的(Mo1-xNx)Si2中N为Nb、W、Ti、Cr中的一种元素；
所述的(Mo1-xNx)Si2合金表面有一层抗低温氧化性能的保护膜。
2.一种权利要求1所述抗低温氧化的二硅化钼基合金制备工艺，其特征在于，工艺步骤如下：
a．将二硅化钼基合金表面用800-2000号金相砂纸磨光；
所述的二硅化钼基合金化学表达式为(Mo1-xNx)Si2，其中X处于0～0.5的范围之内；所述的(Mo1-xNx)Si2中N为Nb、W、Ti、Cr中的一种元素；
b．将磨光的二硅化钼基合金在氧化性气氛中于1000～1500℃高温烧结10～120分钟，使材料表面自生形成一层致密的保护膜。
3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，所述的氧化性气氛为空气或氧气。
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