[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法有效
申请号: | 201310040590.6 | 申请日: | 2013-02-03 |
公开(公告)号: | CN103078010A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 向勇;张海涛;谢梦;张庶 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610017 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法,属于光电材料新能源技术领域,本发明成本低廉并且适合太阳能电池的规模化大批量生产,其步骤包括:a、提供衬底层;b、背电极层制备:制备一层钼或银薄膜;c、吸收层制备:制备铜锌锡金属前躯体,再通过硫化热处理得到铜锌锡硫薄膜;d、缓冲层制备:制备硫化镉或硫化锌薄膜;e、窗口层制备:制备本征氧化锌窗口层薄膜;f、顶电极层制备:制备掺铝氧化锌顶电极层薄膜;g、栅电极制备:采用再流焊层压复合工艺制备栅电极。本发明具有工艺成本低、适合大规模生产的优点,因而具有非常好的推广利用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 太阳能电池 真空 工艺 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法,其特征是,其步骤包括:a、提供衬底层;b、背电极层制备:采用电化学沉积法制备一层钼或银薄膜;c、吸收层制备:采用电化学沉积法制备铜锌锡金属前躯体,再通过硫化热处理得到铜锌锡硫薄膜;d、缓冲层制备:采用化学水浴法制备硫化镉或硫化锌薄膜;e、窗口层制备:采用化学水浴法制备本征氧化锌窗口层薄膜;f、顶电极层制备:采用化学水浴法制备掺铝氧化锌顶电极层薄膜;g、栅电极制备:采用再流焊层压复合工艺制备栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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