[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法

权利要求书

1.一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，其步骤包括：a、提供衬底层；b、背电极层制备：采用电化学沉积法制备一层钼或银薄膜；c、吸收层制备：采用电化学沉积法制备铜锌锡金属前躯体，再通过硫化热处理得到铜锌锡硫薄膜；d、缓冲层制备：采用化学水浴法制备硫化镉或硫化锌薄膜；e、窗口层制备：采用化学水浴法制备本征氧化锌窗口层薄膜；f、顶电极层制备：采用化学水浴法制备掺铝氧化锌顶电极层薄膜；g、栅电极制备：采用再流焊层压复合工艺制备栅电极。

2.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，在步骤a中，所述衬底层为玻璃、不锈钢、硅片、聚酰亚胺的其中一种。

3.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，在步骤b中，所述电池背电极为钼或银薄膜，厚度为0.3～3微米。

4.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，在步骤c中，所述吸收层为铜锌锡硫（CZTS）薄膜，其厚度为0.5～3微米。

5.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，在步骤d中，所述缓冲层为硫化镉（CdS）或硫化锌（ZnS）或硫化铟(In₂S₃)薄膜，其厚度为20～200纳米。

6.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，在步骤e中，所述窗口层为本征氧化锌（i-ZnO）薄膜，其厚度为50～100纳米。

7.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，在步骤f中，所述顶电极层为掺铝氧化锌（Al-ZnO）或氧化铟锡（ITO）的一种，其厚度为0.2～5微米。

8.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法，其特征是，在步骤g中，所述栅电极为镍、铝、铜、银或其合金。