[发明专利]一锅法合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料的方法有效

专利信息
申请号: 201310038965.5 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN103086393A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 刘忠文;郝青青;刘昭铁 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C01B33/44 分类号: C01B33/44
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 申忠才
地址: 710062 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种一锅法合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料的方法,其是在超临界CO2体系中,采用一锅法将阳离子表面活性剂和正硅酸乙酯同时引入到蒙脱土层间,使正硅酸乙酯在层间以阳离子表面活性剂胶束为模板,发生原位水解-缩聚反应,合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料,所合成的多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料具有微孔和介孔双孔的结构分布且热稳定性高的特点,而且本发明的合成方法步骤少、易操作且表面活性剂用量少、成本低廉、无副产物、绿色无污染。
搜索关键词: 一锅 合成 多孔 氧化 蒙脱土 纳米 复合材料 方法
【主权项】:
一锅法合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料的方法,其特征在于由以下步骤组成:(1)按蒙脱土与季铵盐阳离子表面活性剂、正硅酸乙酯的质量比为1:0.3~0.9:6~20的比例称取蒙脱土、季铵盐阳离子表面活性剂、正硅酸乙酯,加入到高压反应釜中,在超临界CO2条件下,10~30MPa,60~100℃,搅拌反应5~15小时,自然降温至室温,得到产物的前驱体;(2)将产物的前驱体转入离心管中,离心分离,自然干燥15~48小时,置于马弗炉内600℃焙烧5小时,得到多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料。
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