[发明专利]一种具有电流阻挡层的发光二极管无效
| 申请号： | 201310038883.0 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103078027A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有电流阻挡层的发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、电流阻挡层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述透明导电层和所述电流阻挡层上均设有开孔结构，用于使所述p电极能通过所述透明导电层和所述电流阻挡层上的开孔结构与所述p型GaN层接触。本发明阻止了因p电极正下方的电流流动而造成电流阻塞效应，提高了发光强度；避免了活性层发出的光在p电极正下方被吸收，提高了光提取效率；增加了电极的粘附性，避免电极脱落的风险；使n电极和p电极颜色一致，方便下游芯片封装厂的自动作业。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有电流阻挡层的发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、电流阻挡层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述透明导电层和所述电流阻挡层上均设有开孔结构，用于使所述p电极能通过所述透明导电层和所述电流阻挡层上的开孔结构与所述p型GaN层接触。
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