[发明专利]基于超材料结构的石墨烯晶体管、光探测器及其应用有效
申请号: | 201310036555.7 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103117316A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 陈沁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0224;G01J3/02;G01J3/28 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 孙东风;王锋 |
地址: | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种基于超材料结构的石墨烯晶体管、光探测器及其应用。该石墨烯晶体管包括自下而上依次设置的衬底、栅极金属层、栅极介质层、石墨烯层和源极与漏极金属层;其中至少源极与漏极金属层的局部区域具有周期性微纳米结构,所述周期性微纳米结构与栅极金属层及栅极介质层配合形成具有完全吸收特性的超材料结构,通过改变周期性微纳米结构以及栅极介质层材料的折射率和厚度等,可以调控超材料结构的光吸收频段。本发明因为超材料结构的波长选择性完美吸收特性,具有更高灵敏度和窄带响应,通过选择不同超材料结构可以工作在可见光到红外甚至更长波段,通过将工作在不同波段的光探测器集成设置,还可以构成超宽带工作的图像传感器、光谱检测分析设备等。 | ||
搜索关键词: | 基于 材料 结构 石墨 晶体管 探测器 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种基于超材料结构的石墨烯晶体管,其特征在于,它包括自下而上依次设置的衬底、栅极金属层、栅极介质层、石墨烯层以及源极与漏极金属层;其中,至少所述源极与漏极金属层的局部区域具有周期性微纳米结构,所述周期性微纳米结构与栅极金属层及栅极介质层配合形成具有近完全吸收特性的超材料结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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