[发明专利]电容拓扑结构及集成电路有效
| 申请号： | 201310034149.7 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103579222A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陆波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 100049 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电容拓扑结构及集成电路，其中电容拓扑结构包括多个电容单元，电容单元包括位于中央的正N边形MIM电容以及围绕在正N边形MIM电容周围的侧壁电容，侧壁电容包括中央镂空的多层第一金属层，镂空部分的形状与正N边形MIM电容的形状相适配，多层第一金属层之间通过第一过孔相连，采用正N边形MIM电容，周围围绕侧壁电容，使正N边形MIM电容每条边的环境一致，在集成电路版图面积相同的情况下，可提高多个MIM电容之间的匹配度，节约版图面积，提高紧凑度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 拓扑 结构 集成电路 | ||
【主权项】：
一种电容拓扑结构，其特征在于，包括多个电容单元，所述电容单元包括位于中央的正N边形MIM电容以及围绕在所述正N边形MIM电容周围的侧壁电容，所述侧壁电容包括中央镂空的多层第一金属层，镂空部分的形状与所述正N边形MIM电容的形状相适配，多层第一金属层之间通过第一过孔相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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