[发明专利]一种CMOS高增益宽带低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种CMOS高增益宽带低噪声放大器（LNA），包括信号输入级、噪声抵消级和放大级，所述信号输入级由电阻RF、NMOS管M1-a和PMOS管M1-b组成，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1和两个NMOS晶体管M2、M3组成，所述噪声抵消级用于实现所述信号输入级的噪声电压相互抵消；所述放大级由电感L0、NMOS晶体管M4和电阻R2组成，所述放大级实现在不使噪声恶化的前提下进一步放大信号。本发明放大器在输入匹配、噪声、增益、带宽和线性度方面均具有一定的优势，其结构简单，芯片面积小，便于集成，成本低。

主权项

一种CMOS高增益宽带低噪声放大器，包括信号输入级、噪声抵消级和放大级，其特征在于：所述信号输入级由电阻RF、NMOS管M1‑a和PMOS管M1‑b组成，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1和两个NMOS晶体管M2、M3组成，所述噪声抵消级用于实现所述信号输入级的噪声电压相互抵消；所述放大级由电感L0、NMOS晶体管M4和电阻R2组成，所述放大级实现在不使噪声恶化的前提下进一步放大信号；上述各电子元器件之间的连接关系为：电阻RF的一端、NMOS管M1‑a的栅极、PMOS管M1‑b的栅极、NMOS管M2的栅极和NMOS管M1‑a的源极接地；PMOS管M1‑b的源极接电源VDD；电阻RF的另一端与NMOS管M1‑a的漏极、PMOS管M1‑b的漏极和NMOS管M2的漏极连接后再与电容C1连接，电容C1的另一端与电阻R1的一端和NMOS管M3的栅极连接，电阻R1的另一端和NMOS管M3的漏极连接至电源VDD，NMOS管M3的源极与NMOS管M2的漏极连接至电感L0的一端，电感L0的另一端与NMOS管M4的栅极连接，NMOS管M4的源极接地，NMOS管M4的栅极与电阻R2连接后为信号的输出端，电阻R2的另一端连接至电源VDD。