[发明专利]一种V2O5纳米线的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310025659.8 申请日: 2013-01-22
公开(公告)号: CN103086431A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 詹肇麟;彭雁;张卫伟;刘忠;李莉;刘建雄 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01G31/02 分类号: C01G31/02;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及了一种V2O5纳米线的制备方法,属于纳米材料制备及性能技术领域。以V2O5为原料,H2O2为反应溶剂,在冰水浴中将纯V2O5和20~40wt%的H2O2溶液按照V2O5:H2O2=0.8g~1.2g:40mL~80mL混合,采用电磁-超声波混合搅拌方式制取V2O5溶胶,然后,通过提拉法在ITO导电玻璃上沉积V2O5层状薄膜,通过对薄膜进行特殊的热处理方式,使层状的V2O5自结晶,形成V2O5纳米线。这种方法不需要表面活性剂和催化剂、无需高温高压,具有工艺操作简单、成本低、形成的纳米线结构致密性好等优点。
搜索关键词: 一种 sub 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种V2O5纳米线的制备方法,其特征在于具体制备步骤包括如下:(1)将V2O5溶入H2O2溶液中,按照V2O5:H2O2=0.8g~1.2g:40mL~80mL的比例配置,然后将温度保持在‑2~+1ºC,采用电磁搅拌和超声波搅拌结合,制备V2O5溶胶溶液;(2)采用提拉法制备V2O5薄膜,将基片以10~20cm/min的速度插入V2O5溶胶溶液中,静置10~25分钟后,以插入基片时相同的速度提拉出来,待基片上的薄膜干燥后,重复上述提拉过程4~10次,得到薄膜厚度在0.1~0.4µm的V2O5层状湿膜;(3)将V2O5层状湿膜在室温下干燥24~48小时,然后在大气条件下进行热处理,使V2O5层状湿膜自结晶,再从基片上剥离,即得到V2O5纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310025659.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top