[发明专利]一种提高碳/碳复合材料与自身连接性能的方法无效
申请号: | 201310023681.9 | 申请日: | 2013-01-23 |
公开(公告)号: | CN103121858A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 李贺军;褚衍辉;彭晗;李露;付前刚;李克智 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高碳/碳复合材料与自身连接性能的方法,在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层的方法,利用纳米线的拔出桥连增强作用以及界面钉扎效应,实现C/C复合材料与其自身连接性能的提高。本发明的有益效果:通过在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层,克服了背景技术中在连接层中引入的增强相易团聚、分散性差以及连接层与C/C之间的界面结合差等难题,制备的陶瓷连接层可显著地提高C/C复合材料与其自身连接性能。与背景技术相比,其剪切强度可提高到14.09~15.1MPa。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 复合材料 自身 连接 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种提高碳/碳复合材料与自身连接性能的方法,其特征在于步骤如下: 步骤1:将C/C复合材料清洗后,放入烘箱中烘干; 步骤2:将质量百分比为70~85%的Si粉,5~15%的SiC粉,7~15%的C粉和3~10%的Al2O3粉,置于聚四氟乙烯球磨罐中,球磨混合处理2~4h得到混合的粉料; 步骤3:将粉料覆盖入石墨坩埚中,再放入烘干的C/C复合材料,再在C/C复合材料上覆盖粉料; 步骤4:将石墨坩埚放入高温反应烧结炉中,以5~10°C/min升温速度将炉温从室温升至2000~2200°C,保温1~3h;随后关闭电源自然冷却至室温,全程Ar气保护,得到硅基陶瓷改性的C/C复合材料; 步骤5:采用石墨纸包裹步骤4制备的硅基陶瓷改性的C/C复合材料,放入高温反应烧结炉中,以5~10°C/min升温速度将炉温从室温升至1400~1600°C,保温1~3h;关闭电源自然冷却至室温,全程Ar气保护,得到表面带有SiC纳米线多孔层的硅基陶瓷改性的C/C复合材料; 步骤6:将质量百分比为10~20%的MgO粉,20~30%的Al2O3粉,45~55%的SiO2粉,1~5%的BaO粉,1~5%的B2O3粉,1~5%的TiO2粉和1~5%的SbO3粉置于聚四氟乙烯球磨罐中,混合球磨2~4h后,装入氧化铝坩埚中置于1550~1650℃氧化炉中保温2~4h,取出水淬,得到镁铝硅MAS玻璃块;再将得到的MAS玻璃块破碎并置于聚四氟乙烯球磨罐中球磨8~12h后,过筛得到粒度为300目的镁铝硅粉末; 步骤7:将镁铝硅粉末与酒精混合形成镁铝硅料浆,将镁铝硅料浆平铺于两层带有SiC纳米线多孔层的硅基陶瓷改性的C/C复合材料之间,再置于热压模具中,并置于真空热压炉中; 步骤8:以5~15℃/min升温速度将炉温从室温升至1100~1300℃后,保温20~40min并加载5~7KPa压力,卸压后关闭电源自然冷却至室温,得到采用陶瓷连接层 连接的C/C复合材料。
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