[发明专利]一体式高精度三轴磁传感器有效
申请号: | 201310023615.1 | 申请日: | 2013-01-22 |
公开(公告)号: | CN103116143A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 田武刚;赵建强;胡佳飞;张琦;陈棣湘;罗诗途;潘孟春;李文印 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 赵洪;周长清 |
地址: | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种一体式高精度三轴磁传感器,包括四个磁测量单元、信号输出和偏置电极、平面内聚集器、四个磁变轨聚集器、四个凹坑以及基底,所述平面聚集器采用自身对称式结构并位于基底的中间位置处,所述四个磁变轨聚集器在平面聚集器的四面呈对称状分布,每个所述磁变轨聚集器均位于一个凹坑中;每个磁测量单元均包括用两个GMR敏感元件和两个GMR参考元件构成的惠斯通电桥。本发明具有结构简单紧凑、体积小、制造方便、制作成本低廉、灵敏度高等优点。 | ||
搜索关键词: | 体式 高精度 三轴磁 传感器 | ||
【主权项】:
一种一体式高精度三轴磁传感器,其特征在于:包括四个磁测量单元(1)、信号输出和偏置电极、平面聚集器(2)、四个磁变轨聚集器(3)、四个凹坑(4)以及基底(10),所述平面聚集器(2)采用自身对称式结构并位于基底(10)的中间位置处,所述四个磁变轨聚集器(3)在平面聚集器(2)的四面呈对称状分布,每个所述磁变轨聚集器(3)均位于一个凹坑(4)中;每个磁测量单元(1)均包括用两个GMR敏感元件(8)和两个GMR参考元件(7)构成的惠斯通电桥。
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