[发明专利]大温区低电阻率温度系数薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310023361.3 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103060603A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 曹则贤;鲁年鹏;纪爱玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C23C14/34;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大温区低电阻率温度系数薄膜材料及其制备方法，大温区低电阻率温度系数薄膜材料的分子式为Cu3NAgx，其中，x为0.57～1.00。本发明制备的Cu3NAgx薄膜材料，其表面光滑致密，结构单一及组分均匀，在5～300K的大温度区间范围内，当银掺杂量大于0.570后，薄膜的TCR值开始变得很小，最小可达18ppm/K，其可用作电子学器件的大温区精密电阻材料，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 大温区低 电阻率 温度 系数 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大温区低电阻率温度系数薄膜材料，其分子式为Cu3NAgx，其中，x为0.57～1.00。
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