[发明专利]SCM样品横断面的制备方法有效
| 申请号： | 201310020360.3 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103941043A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李楠;赖李龙;朱灵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SCM样品横断面的制备方法，包括在晶片上形成标识，确定目标样品的位置；根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片；采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口；按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化，湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧，以暴露出所述目标样品的横断面；按照第二配方对所述目标样品的横断面进行热氧化，以形成SCM样品横断面。避免后续横断面的结构缺陷，同时省去了化学机械抛光过程，提高了聚焦离子束研磨形成开口后的后续工艺的可控性，提高SCM样品横断面制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | scm 样品 横断面 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，包括： 在晶片上形成标识，以确定目标样品的位置； 根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片； 采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口； 按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化，湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧，以暴露出所述目标样品的横断面； 按照第二配方对所述目标样品的横断面进行热氧化，以形成SCM样品横断面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310020360.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
