[发明专利]具有前焦距校正的光学器件的晶片级制造有效
申请号: | 201280052514.0 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103890948A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | H.鲁德曼恩;M.马鲁克;A.比伊特施;P.罗恩特根;S.海姆加特纳 | 申请(专利权)人: | 七边形微光学私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 晶片堆(100)包括被称为光学晶片的第一晶片(OW1)和被称为隔离晶片的第二晶片(SW),所述光学晶片(OW1)具有制造不规则性。隔离晶片(SW)被结构化成使得其至少部分地补偿所述制造不规则性。用于制造器件(其特别地能够是光学器件)的相应方法包括执行校正步骤以便至少部分地补偿制造不规则性。这样的校正步骤包括提供被称为隔离晶片的晶片(SW),其中,该隔离晶片被结构化以便至少部分地补偿所述制造不规则性。那些制造不规则性可包括与标称值的偏差,例如焦距的不规则性。本发明能够允许以高产率来批量生产高精度器件。 | ||
搜索关键词: | 具有 焦距 校正 光学 器件 晶片 制造 | ||
【主权项】:
一种用于制造器件、特别是光学器件的方法,所述方法包括执行校正步骤用于至少部分地补偿制造不规则性,所述校正步骤包括提供被称为隔离晶片的晶片,所述隔离晶片被结构化成用于至少部分地补偿所述制造不规则性,特别地其中,所述制造不规则性包括与标称值的偏差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的