[发明专利]氧氮化物荧光体粉末、氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末及氧氮化物荧光体粉末的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280048350.4 申请日: 2012-10-12
公开(公告)号: CN103842473A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 藤永昌孝;上田孝之;酒井拓马;治田慎辅 申请(专利权)人: 宇部兴产株式会社
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;C01B21/068;C01B21/082;C09K11/08;C09K11/65
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式:Cax1Eux2Sil2-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中,式中,x1、x2、y、z为:0<x1≤3.40,0.05≤x2≤0.20,4.0≤y≤7.0,0≤z≤1)表示的组成所表示的含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体粉末。本发明提供上述氧氮化物荧光体粉末,其由450nm波长的光所激发而发出的荧光的峰波长的光反射率为80%以上。本发明提供氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末,其为结晶氮化硅粉末,氧含量为0.2~0.9质量%。本发明提供氧氮化物荧光体粉末的制造方法,其具有混合原料物质,在非活性气体氛围中、在1500~2000℃的温度范围进行烧成,从而得到由上述通式所表示的氧氮化物烧成物的第1工序,和在非活性气体气氛中、在1100~1600℃的温度范围对上述氧氮化物烧成物进行热处理的第2工序。
搜索关键词: 氮化物 荧光 粉末 制造 氮化 方法
【主权项】:
一种含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体粉末,其为形成由以下的组成式所示的组成地将作为硅源的物质、作为铝源的物质、作为钙源的物质和作为铕源的物质混合、烧成而得到;Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z其中,式中,x1、x2、y、z为:0<x1≤3.40,0.05≤x2≤0.20,4.0≤y≤7.0,0≤z≤1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇部兴产株式会社,未经宇部兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280048350.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top