[发明专利]氧氮化物荧光体粉末、氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末及氧氮化物荧光体粉末的制造方法有效
申请号: | 201280048350.4 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103842473A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 藤永昌孝;上田孝之;酒井拓马;治田慎辅 | 申请(专利权)人: | 宇部兴产株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;C01B21/068;C01B21/082;C09K11/08;C09K11/65 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式:Cax1Eux2Sil2-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中,式中,x1、x2、y、z为:0<x1≤3.40,0.05≤x2≤0.20,4.0≤y≤7.0,0≤z≤1)表示的组成所表示的含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体粉末。本发明提供上述氧氮化物荧光体粉末,其由450nm波长的光所激发而发出的荧光的峰波长的光反射率为80%以上。本发明提供氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末,其为结晶氮化硅粉末,氧含量为0.2~0.9质量%。本发明提供氧氮化物荧光体粉末的制造方法,其具有混合原料物质,在非活性气体氛围中、在1500~2000℃的温度范围进行烧成,从而得到由上述通式所表示的氧氮化物烧成物的第1工序,和在非活性气体气氛中、在1100~1600℃的温度范围对上述氧氮化物烧成物进行热处理的第2工序。 | ||
搜索关键词: | 氮化物 荧光 粉末 制造 氮化 方法 | ||
【主权项】:
一种含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体粉末,其为形成由以下的组成式所示的组成地将作为硅源的物质、作为铝源的物质、作为钙源的物质和作为铕源的物质混合、烧成而得到;Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z其中,式中,x1、x2、y、z为:0<x1≤3.40,0.05≤x2≤0.20,4.0≤y≤7.0,0≤z≤1。
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