[发明专利]用于深槽浅切口像素化的系统、方法和设备有效
| 申请号： | 201280048228.7 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103842848A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | T·A·塞尔夫 | 申请（专利权）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20;A61B6/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 徐舒 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 成像阵列可以包括形成阵列的多个成像像素，所述阵列具有高能量端、光出射端和轴，并且每个像素具有与所述轴正交的像素宽度PW；多个隔片，所述多个隔片位于所述阵列中，使得在所述成像像素的相邻像素之间有隔片，并且每个所述隔片在轴向方向上具有深度D；高宽比PW：D小于0.2。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 深槽浅 切口 像素 系统 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种成像阵列，包括：形成阵列的多个成像像素，所述阵列具有高能量端、光出射端和轴，并且每个像素具有与所述轴正交的像素宽度PW；多个隔片，所述多个隔片位于所述阵列中，使得在所述成像像素的相邻像素之间有隔片，并且每个所述隔片在轴向方向上具有深度D，使得高宽比定义为PW:D；其中对于不超过约2mm的PW，所述高宽比小于0.2；或对于至少约3mm的PW，所述高宽比小于0.15。
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