[发明专利]硅基超高压电阻器在审
| 申请号： | 201280036481.0 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103718294A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | S·苏塔德加;R·克里施纳穆尔蒂;徐兆扬 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张臻贤 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)包括导电材料的第一层(310)，绝缘材料的第二层(302)，其中该第二层具有与第一层相邻布置的第一侧面和第二侧面，以及与第二层的第二侧面相邻布置的衬底(304)。第一阱部(312)被布置在衬底之中并且与第二层的第二侧面相邻。衬底和第一阱部具有相对的掺杂。第一层(310)构成电阻器。阱部的存在允许比绝缘材料的击穿电压更高的电压得以被施加于该电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 电阻器 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)，包括：导电材料的第一层；绝缘材料的第二层，其中所述第二层具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第一层相邻布置；衬底，与所述第二层的所述第二侧面相邻布置；以及布置在所述衬底中的第一阱部，其中所述第一阱部与所述第二层的所述第二侧面相邻，并且其中所述衬底和所述第一阱部具有相对的掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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