[实用新型]一种低噪声放大电路及具有该电路的低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201220728689.6 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN203104364U 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 黄维权;蒋黎军 申请(专利权)人: 深圳市凌启电子有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 唐华明
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及电子技术领域,且提供了一种低噪声放大电路及具有该电路的低噪声放大器,该低噪声放大电路包括:MOS晶体管M1、源简并电感LS、输入匹配网络、输出匹配网络、电流镜电路、隔直电容CC和限流电阻Rd,本实用新型采用输入匹配网络将MOS晶体管栅极的输入阻抗匹配到信号源阻抗,从而实现低噪声放大器在输入级同时实现噪声匹配和功率增益匹配;采用输出匹配网络实现低噪声放大器在输出级同时实现噪声匹配和功率增益匹配。另外,本实用新型中的电流镜电路可以使得等效电流噪声小到足以被忽略,从而减少了功率损耗。
搜索关键词: 一种 噪声 放大 电路 具有 低噪声放大器
【主权项】:
一种低噪声放大电路,其特征在于,包括:MOS晶体管M1、源简并电感LS、输入匹配网络、输出匹配网络、电流镜电路、隔直电容CC和限流电阻Rd,其中:所述MOS晶体管M1作为放大器件按照共源结构连接,所述MOS晶体管M1的源极通过源简并电感LS接地,所述源简并电感LS提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭;所述输入匹配网络的一端与所述MOS晶体管M1的栅极相连,另一端通过所述隔直电容CC与信号源VS相连接;所述电流镜电路的一端与电源Vdd相连接,另一端与所述输入匹配网络和所述隔直电容CC的连接点相连接;所述输出匹配网络的一端与所述MOS晶体管的漏极相连,另一端通过负载电阻RL接地;所述限流电阻Rd的一端与所述输出匹配网络相连,另一端与所述电源Vdd相连接。
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