[实用新型]达林顿三极管

摘要

本实用新型涉及一种达林顿三极管，所述三极管包括P/N型衬底；分别形成于P/N型衬底顶表面的第一N/P层和第二N/P层；形成于第一N/P层顶表面的第一P+/N+层；形成于第二N/P层顶表面的第二P+/N+层以及第三P+/N+层；形成于第一N/P层、第二N/P层、第一P+/N+层、第二P+/N+层以及第三P+/N+层顶表面的氧化物掩膜；以及形成于氧化物掩膜上的第一引线孔、第二引线孔、第三引线孔以及第四引线孔，所述第二引线孔与第三引线孔通过金属引线连接，且氧化物掩膜上覆盖有PI塑料层。借此，本实用新型使达林顿管的主三极管的B极和副三极管的E极相连时，不会导致氧化物掩膜下面的P/N层产生反型作用，实现了单片式达林顿管去掉副三极管的BE结间偏置电阻的目的。

主权项

一种达林顿三极管，其特征在于，所述三极管包括P/N型衬底；分别形成于所述P/N型衬底顶表面的第一N/P层和第二N/P层，所述第一N/P层和所述第二N/P层相互隔离；形成于所述第一N/P层顶表面的第一P+/N+层；形成于所述第二N/P层顶表面的第二P+/N+层以及第三P+/N+层；形成于所述第一N/P层、第二N/P层、第一P+/N+层、第二P+/N+层以及第三P+/N+层顶表面的氧化物掩膜；以及形成于所述氧化物掩膜上的第一引线孔、第二引线孔、第三引线孔以及第四引线孔，所述第一引线孔与第一N/P层对应，所述第二引线孔与所述第一P+/N+层对应，所述第三引线孔与所述第二N/P层对应，所述第四引线孔与所述第二P+/N+层、第三P+/N+层以及第二N/P层对应，所述第二引线孔与所述第三引线孔通过金属引线连接，且所述氧化物掩膜上覆盖有PI塑料层。