[实用新型]反射式掩膜版及曝光装置有效
| 申请号： | 201220614167.3 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN202886835U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 武延兵 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 宋珊珊 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种反射式掩膜版及曝光装置。反射式掩膜版包括衬底，衬底上包括可反射曝光光线的反射区域，衬底上反射区域以外的部分是不可反射曝光光线的非反射区域；其中，反射区域形成反射式掩膜版的图案。曝光装置包括上述任一的反射式掩膜版。本实用新型可以用同一块反射式掩膜版通过改变倾斜角度，得到不同的曝光图案，增强了透射式掩膜版的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 式掩膜版 曝光 装置 | ||
【主权项】：
一种反射式掩膜版，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上包括可反射曝光光线的反射区域，所述衬底上反射区域以外的部分是不可反射曝光光线的非反射区域；其中，所述反射区域形成反射式掩膜版的图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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