[实用新型]用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置

摘要

本实用新型提供了一种用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置。该半导体装置包括：具有浅沟槽隔离STI结构的基底基板；第一金属层，形成在所述浅沟槽隔离结构上，具有限定阳极、阴极、和连接在所述阴极与阳极之间的熔丝颈的形状；未掺杂的多晶区域，形成在所述第一金属层的所述熔丝颈上；以及第二金属层，具有形成在所述第一金属层上且位于所述多晶区域的相对侧上的第一部分和第二部分，所述第二金属层的所述第一部分形成在所述阳极上，而所述第二金属层的所述第二部分形成在所述阴极上。电熔丝结构使得能够利用低量电流来熔断熔丝，因而允许使用更小的MOSFET。

主权项

一种用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置，其特征在于，包括： 具有浅沟槽隔离结构的基底基板； 第一金属层，形成在所述浅沟槽隔离结构上，具有限定阳极、阴极、和连接在所述阴极与阳极之间的熔丝颈的形状； 未掺杂的多晶区域，形成在所述第一金属层的所述熔丝颈上；以及 第二金属层，具有形成在所述第一金属层上且位于所述多晶区域的相对侧上的第一部分和第二部分，所述第二金属层的所述第一部分形成在所述阳极上，而所述第二金属层的所述第二部分形成在所述阴极上。