[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 201220483379.2 | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN203218312U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 粟饭原范行;村木典孝 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/36 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供以均匀膜厚形成保护膜和电极膜,保证稳定而高辉度的发光,防止侧面的劣化,谋求高可靠性和长寿命化的发光二极管。本实用新型的发光二极管,支持结构部含有反射层的一部分,其侧面通过湿式蚀刻而形成,含有倾斜部,含有倾斜部的水平方向的截面积朝向上表面连续变小地形成,台面型结构部,其倾斜侧面通过湿式蚀刻而形成,水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成,保护膜覆盖上表面、倾斜部、倾斜侧面和顶面的周边区域,并且在周边区域的内侧具有将半导体层的表面的一部分露出的通电窗,电极层是与从通电窗露出的表面直接接触并且覆盖在上表面上形成的保护膜,并具有光射出孔的连续膜。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,是在基板上具备反射层和含有活性层的化合物半导体层的发光二极管,其特征在于, 包含具有上表面和侧面的支持结构部、和配置在该支持结构部上并具有倾斜侧面和顶面的台面型结构部, 所述支持结构部至少含有所述反射层的一部分,其侧面通过湿式蚀刻而形成,含有从所述上表面向所述基板侧延伸到至少超过所述反射层的位置的倾斜部,含有该倾斜部的水平方向的截面积朝向所述上表面连续变小地形成, 所述台面型结构部至少含有所述活性层的一部分,其倾斜侧面通过湿式蚀刻而形成,并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成, 所述支持结构部和所述台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极层依次覆盖, 所述保护膜至少覆盖所述上表面的至少一部分、所述侧面之中的至少倾斜部、所述倾斜侧面和所述顶面的周缘区域,并且俯视在所述周缘区域的内侧具有将所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗, 所述电极层是以与从所述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触,并且至少覆盖形成于所述上表面上的保护膜的一部分,在所述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。
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