[实用新型]SOI压力传感芯片结构有效
| 申请号： | 201220311278.7 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN202710219U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;熊建功;李小刚;赵健 | 申请（专利权）人： | 慧石（上海）测控科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201700 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型的目的在于公开一种SOI压力传感芯片结构，它包括一SOI基片，在所述SOI基片上设置有压力膜，所述压力膜上设置有若干压阻元件，所述压阻元件上沉积有一层绝缘层，在所述绝缘层上沉积有一层填充物层；与现有技术相比，在压阻元件上沉积绝缘层和填充物层，绝缘层可以实现压阻元件与填充物层之间的电隔离，使填充物层不影响压阻元件的电性能，填充物层可以改变压阻元件的受力状态，使整个压阻元件只受到均匀的单一性质应力，而不再同时承受拉应力和压应力（负的拉应力），既提高了压阻单元的整体应力，从而提高了器件的灵敏度，又避免了应力集中，提高了器件的抗过载能力，实现本实用新型的目的。 | ||
| 搜索关键词： | soi 压力 传感 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种SOI压力传感芯片结构，其特征在于，它包括一SOI基片，在所述SOI基片上设置有压力膜，所述压力膜上设置有若干压阻元件，所述压阻元件上沉积有一层绝缘层，在所述绝缘层上沉积有一层填充物层。
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