[实用新型]一种单晶硅片有效
| 申请号： | 201220185409.1 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN202633334U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 周日发 | 申请（专利权）人： | 浙江奥博新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人： | 陈辉 |
| 地址： | 325025 浙江省温州市温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面，所述的硅片本体呈正方形，其中，所述的硅片本体的四个边角设置有45°的倒角，所述的吸光面上均匀排布有栅线，吸光面与背面上均设置有引流线，吸光面上的引流线贯穿所有栅线；采用这种倒角的方式，可以防止手被锐角划伤，而且在更加利于拼装成电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 | ||
【主权项】：
一种单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面，所述的硅片本体呈正方形，其特征在于：所述的硅片本体的四个边角设置有45°的倒角，所述的吸光面上均匀排布有栅线，吸光面与背面上均设置有引流线，吸光面上的引流线贯穿所有栅线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
