[发明专利]制备四方相室温多铁性材料BiFeO3的方法有效
| 申请号： | 201210584892.5 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103014625A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐庆宇;袁学勇 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;C23C16/40;C23C16/48;C30B29/22;C30B25/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备四方相室温多铁性材料BiFeO3的方法。具体步骤为：在（001）LaAlO3单晶衬底上，先沉积一层NdAlO3薄膜作为缓冲层，然后沉积BiFeO3薄膜从而制备出单相的四方相结构的BiFeO3。本发明有效的克服了LaAlO3等衬底与四方相BiFeO3的晶格失配导致的晶格弛豫引起的相分离，能够制备出单相的四方相BiFeO3薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 四方 室温 多铁性 材料 bifeo sub 方法 | ||
【主权项】：
一种制备四方相室温多铁性材料BiFeO3的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1）、在（001）LaAlO3衬底上利用脉冲激光沉积方法先生长一层NdAlO3缓冲层；2）、在NdAlO3缓冲层上再继续利用脉冲激光沉积方法生长BiFeO3薄膜，即可得到四方相结构的BiFeO3薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210584892.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
