[发明专利]LED外延结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210576134.9 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103078017A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延结构。所述LED外延结构包括自下至上依次排列的衬底、缓冲层、牺牲层、N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层，所述牺牲层与所述量子阱层之间还具有一光屏蔽层，所述光屏蔽层为一层或多层无图形膜，或所述光屏蔽层包括若干图形化的子光屏蔽层和连接层，所述子光屏蔽层的图形相互配合，以使在对所述衬底进行激光剥离时从所述衬底方向入射的激光均能被所述子光屏蔽层阻挡。本发明同时提供了所述LED外延结构的制备方法。本发明在对所述LED外延结构在对所述衬底进行激光剥离时，所述光屏蔽层减少或阻止激光穿透所述光屏蔽层到达所述量子阱层。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，其包括自下至上依次排列的衬底、缓冲层、牺牲层、N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于：所述牺牲层与所述量子阱层之间还具有一光屏蔽层，所述光屏蔽层对用于剥离衬底的激光的吸收率大于相同厚度的N型氮化镓材料层对激光的吸收率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光达光电设备科技（嘉兴）有限公司，未经光达光电设备科技（嘉兴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210576134.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连接线、控制方法、控制电路以及电子设备
- 下一篇：一种集成光敏传感器
