[发明专利]一种阻变式存储单元及其形成方法有效
| 申请号： | 201210572687.7 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103066206A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李辛毅;吴华强;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提出一种阻变式存储单元及其形成方法，其中该方法包括：提供硅衬底；形成隔离层；形成底电极；在室温下通过磁控溅射以形成阻变材料层，其中，进一步包括：在第一压强、第一氛围中，通过磁控溅射在底电极之上形成TaOx的第一阻变层，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻变式 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变式存储单元的形成方法，其特征在于，包括：S1.提供硅衬底；S2.在所述硅衬底之上形成隔离层；S3.在所述隔离层之上形成底电极；S4.在室温下通过磁控溅射以在所述底电极之上形成阻变材料层，其中，进一步包括：S41.在第一压强、第一氛围中，通过磁控溅射在所述底电极之上形成TaOx的第一阻变层，其中0
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