[发明专利]一种利用电镀工艺在GaN材料上制备细栅的方法

摘要

本发明公开了一种利用电镀工艺在GaN材料上制备细栅的方法，包括如下步骤：首先利用等离子体化学沉积方法在干净的AlGaN/GaN材料上生长SiN薄的介质保护层，然后利用电子束光刻工艺定义栅脚图形。利用反应离子刻蚀(RIE)设备刻蚀栅脚区域SiN，然后利用电子束蒸发系统蒸发势垒金属和电镀种子层。利用电子束光刻工艺定义栅帽图形，然后利用电镀工艺制备栅帽，最后将电子束胶去除。本发明可以大幅降低栅的电阻，有效提高栅的稳定性。

主权项

一种利用电镀工艺在GaN材料上制备细栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在A)GaN/GaN异质结材料上利用等离子体化学沉积方法生长介质保护层；(2)利用电子束刻写工艺，依次通过甩电子束胶、电子束写图形和显影获得栅脚图形；(3)利用反应离子刻蚀设备通过氟基气体将步骤(2)获得样品上的栅脚区域的介质保护层刻蚀干净；(4)利用电子束蒸发装置在步骤(3)获得的样品上依次蒸发肖特基接触金属以及电镀种子层金属；(5)利用电子束刻写工艺，依次通过甩电子束胶、电子束写图形和显影在步骤(4)获得的样品上制作栅帽图形；(6)利用电镀工艺在露出的电镀种子层金属上进行金属电镀；(7)利用深紫外泛曝光方法对制作栅帽图形的电子束胶进行泛曝光，然后利用显影液将制作栅帽图形的电子束胶去除；(8)利用反应离子刻蚀设备通过氯基气体依次将露出的电镀种子层金属和位于所述露出的电镀种子层金属下方的肖特基接触金属刻蚀干净；(9)去除制作栅脚图形的电子束胶。