[发明专利]包含锑氧化物的厚膜组合物及其在制备半导体器件中的用途在审
| 申请号： | 201210566694.6 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103177788A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | M·赫尔特斯;M·内伊德特 | 申请（专利权）人： | 赫劳斯贵金属有限两和公司 |
| 主分类号： | H01B1/20 | 分类号： | H01B1/20;H01B1/22;H01L21/28;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池器件正面的厚膜组合物。所述组合物包含含氧化铋的玻璃料和作为所述玻璃料的一部分或者添加剂的锑氧化物。本发明进一步涉及一种通过使用所述厚膜组合物制备半导体器件的方法，以及包含所述半导体器件的制品，尤其是太阳能电池。所述太阳能电池显示出提高的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 氧化物 组合 及其 制备 半导体器件 中的 用途 | ||
【主权项】：
一种厚膜组合物，其包含：a)金属或其衍生物；b)含氧化铋的玻璃料；c)任选的添加剂；和d)有机介质，其中所述组合物包含锑氧化物。
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