[发明专利]低功耗芯片的性能测试方法在审
| 申请号： | 201210564167.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103064005A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 不同于现有技术的采用电源供电模块对芯片提供不同电源电压进行性能测试的方案，本发明的测试方法采用高低电平的供电方式，该高低电平中的高电平上升沿时间较短，一般为几纳秒至几十纳秒，由此，可以提高测试速率，针对该高低电平的供电方式一般所提供工作电流较小的特点，本发明的技术方案针对低功耗芯片的性能测试。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 芯片 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种低功耗芯片的性能测试方法，其特征在于，采用高低电平的供电方式对所述芯片进行电源供给。
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