[发明专利]拓扑绝缘体结构有效
| 申请号： | 201210559564.X | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022341B | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;常翠祖;冯硝;李耀义;贾金锋 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;C01B19/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括绝缘基底及生长在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0<x<1，0<y<2，且x与y的值选择为使铬（Cr）在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与铋（Bi）在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL（约为3nm~5nm）。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑 绝缘体 结构 | ||
【主权项】：
一种拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底；设置在该绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；其特征在于，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1‑x)2‑yTe3表示，其中0<x<1，0<y<2，且x与y的值选择为使铬在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与铋在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的载流子浓度为1×1013cm‑2以下，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL。
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