[发明专利]具有抗静电放电能力的功率半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210559280.0 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103050442A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 叶俊;张邵华 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有抗静电放电能力的功率半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供有第一端、第二端和第三端的功率半导体器件，功率半导体器件由元胞阵列排布形成；所述三个端口中的任意一端口或多个端口分别连接一电阻，形成具有抗静电放电能力的功率半导体器件。本发明还提供一种具有抗静电放电能力的功率半导体器件。本发明通过功率半导体器件的三个端口中的任一端口或多个端口串联的电阻作为一种ESD防护组件来提升ESD能力，且串联电阻的大小通过对被保护器件版图结构稍作调整就能适应多种等级ESD需求，设计灵活度大。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抗静电 放电 能力 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有抗静电放电能力的功率半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供有第一端口、第二端口和第三端口的功率半导体器件，所述功率半导体器件由元胞阵列排布形成；所述三个端口中的任意一端口或多个端口分别连接一电阻，形成具有抗静电放电能力的功率半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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